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中芯28纳米HKMG技术迫近联电中国布局压力渐显?

文章出处:电子竞技外围网站 人气:发表时间:2021-09-13 15:44
本文摘要:中芯半导体被视作中国技术最先进设备晶圆代工厂,中芯已在2015年下半量产28纳米,于是以逐步追上台湾晶圆代工二哥联电,16日中芯再行宣告28纳米HKMG制程转入设计定案(tape-out),沦为中国首家同时获取28纳米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的本土晶圆厂。

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中芯半导体被视作中国技术最先进设备晶圆代工厂,中芯已在2015年下半量产28纳米,于是以逐步追上台湾晶圆代工二哥联电,16日中芯再行宣告28纳米HKMG制程转入设计定案(tape-out),沦为中国首家同时获取28纳米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的本土晶圆厂。  HKMG制程出各大晶圆厂必争之地  中国中芯半导体16日宣告28纳米HKMG制程已顺利转入设计定案阶段(tape-out),为中国本土晶圆厂中,首家可同时获取28纳米多晶硅(PolySiON)与低介电常数金属闸极(High-K/MetalGate,HKMG)制程的厂商。HKMG技术较SiON无以的多,但可较SiON提高驱动能力、提高晶体管的性能,同时大幅度减少闸极漏电量,所构成的绝缘层氧化物厚度也较薄,更进一步可减少晶体管的尺寸,在首度被使用于45纳米制程后,各大厂在制程优化时,都会发售HKMG制程。

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本文关键词:中芯,纳米,电子竞技押注平台,HKMG,技术,迫近,联电,中国,布局

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